檢索結果:共3筆資料 檢索策略: "化學工程系".dept (精準) and ckeyword.raw="乙炔"
個人化服務 :
排序:
每頁筆數:
已勾選0筆資料
1
本論文使用兩個連續程序,在配備即場式X射線光電子能譜儀(XPS)和反射式高能電子衍射儀(RHEED)的超高真空化學氣相沉積(UHV-CVD)系統中,進行矽晶片(Si(111))的表面碳化和 SiC …
2
3
碳化矽是一個具有良好物理、機械和電子特性的寬能隙材料,使其成為下一個世代中高功率元件的替代材料。在過去大家對於矽基板上磊晶成長碳化矽有很大的興趣,因為其具有低成本以及大面積的優勢,另一方面將矽表面進…